SPI의 개요

SPI (Serial Peripheral Interconnect) 버스는 Motorola에 의해 개발된 전이중 (full duplex) 통신이 가능한 동기 통신 규격이다. I2C와 마찬가지로 매스터 슬레이브 방식으로 동작하며 매스터가 동기를 위한 클럭을 출력한다각 SPI 슬레이브 장치는 chip enable (/CE) 입력을 가지고 있으며 이 입력이 활성화되었을 때에만 동작한다따라서 매스터는 여러 개의 slave select (SS) 선을 슬레이브들의 /CE에 연결하고 한 순간에 하나의 슬레이브만 선택하는 방법을 사용하여 두 개 이상의 슬레이브 장치들을 구동할 수 있다. SPI의 통신 속도는 최고 70 MHz에 이르기 때문에I2C에 비해 훨씬 빠르다.

 

다음 그림은 SPI 버스를 통해 매스터가 한 개의 슬레이브와 일대일로 연결된 상황을 보여준다.

 

 

그림에 표시된 4 개의 신호는 SPI 버스에서 정의된 신호이다.

 

● SCLK : Serial Clock. 매스터가 출력하는 동기용 클럭

● MOSI : Master Output Slave Input. 매스터의 출력이며 슬레이브에게는 입력

● MISO : Master Input Slave Output. 슬레이브의 출력이며 매스터에게는 입력

● SS : Slave Select. 매스터의 출력으로 슬레이브를 선택하기 위한 신호

 

SCLK는 매스터가 출력하는 클럭 신호이다. SCLK를 기준으로 매스터와 슬레이브 사이의 데이터 교환이 진행된다. MOSI는 매스터의 출력으로 슬레이브로 정보를 보내기 위한 선이다반대로 MISO는 슬레이브의 출력으로 매스터가 슬레이브의 정보를 받기 위한 선이다앞의 그림에서 보듯이 매스터와 슬레이브의 MOSI끼리 서로 연결되며 MISO끼리 서로 연결된다. SS는 매스터가 슬레이브를 선택하기 위한 매스터의 출력으로 슬레이브의 /CE 입력에 연결된다슬레이브는 /CE 입력이 ‘0’인 동안에만 활성화된다.

 

통신을 진행하기 위해서 매스터는 우선 SS로 ‘0’을 출력하여 해당 슬레이브를 활성화시킨다그런 다음 매스터는 SLCK로 동기를 위한 클럭을 출력하는데 이 클럭에 맞추어 MOSI로 데이터를 한 비트씩 내보낸다이와 동시에 매스터는 자신이 출력하는 클럭에 맞추어 MISO를 한 비트씩 읽는다다시 말해서 SPI 매스터는 자신의 출력인 SCLK에 맞추어 MOSI로 데이터를 내보내며 동시에 MISO로는 데이터를 수신한다. SPI 버스는 언제나 양방향 통신을 진행한다. SCLK에 맞추어 MOSI로 데이터를 출력하는 동안 MISO로는 데이터가 수신된다수신되는 데이터는 상황에 따라 의미가 있는 값일 수도 있고 쓰레기 값일 수도 있다마찬가지로 슬레이브의 데이터를 읽기 위하여 SLCK에 맞추어 MISO로 입력을 받는 동안 MOSI로는 데이터가 출력된다.

 

보통 SPI 통신은 8 비트 단위로 진행되지만 12 비트나 16 비트 또는 그 이상의 길이가 한 단위가 될 수도 있다비트 전송 순서에 대한 규정은 없다데이터의 전송은 MSB부터 시작될 수도 있고 LSB부터 시작될 수도 있다데이터를 연속 전송하는 경우 한 단위의 데이터를 보낼 때마다SS 신호를 매번 인가할 수도 있지만 SS 신호를 ‘0’으로 설정한 후 모든 데이터를 다 보낼 때까지 이 상태를 유지하고 있다가 데이터의 전송이 끝났을 때 SS를 ‘1’로 바꿀 수도 있다. SPI 규격은 이런 부분까지 규정하고 있지 않으며 매스터와 슬레이브 사이의 약속에 따라 결정된다. SPI슬레이브 장치의 용도와 특성에 따라 사용 방법이 다르므로 슬레이브 장치의 데이터쉬트를 반드시 확인해야 한다.

 

어떤 마이크로컨트롤러는 설정된 전송 단위에 맞추어 데이터 전송 때마다 자동으로 SS 신호를 출력해 주는 기능을 가지고 있다. ATMEL사의ARM7 기반 AT91SAM7S 계열 마이크로컨트롤러가 그 예이다데이터 전송 단위를 16 비트로 설정했다면 SPI 매스터가 SCLK 신호를 출력하기 전에 자동으로 SS 신호를 ‘0’으로 내리고 데이터가 출력되는 동안 이 상태를 유지하다 전송이 끝나면 이 신호를 다시 ‘1’로 올려준다이런 용도로 사용할 수 있는 SS 핀이 여러 개 있어서 사용자가 선택할 수 있다이런 기능이 있으면 정해진 길이의 데이터를 반복해서 출력하는 경우예를 들면 주기적으로 DAC에 값을 전송하는 경우에 매우 편리하다이런 기능이 없는 마이크로컨트롤러의 경우에는 사용자가 프로그램을 통해 수동으로 SS 신호를 제어해야 한다. AVR 마이크로컨트롤러는 이 기능을 지원하지 않으므로 GPIO 핀을 슬레이브 선택용으로 정하고 수동으로 그 신호를 제어해야 한다.

 

SPI 모드 (mode)

SPI 매스터와 슬레이브는 매스터의 출력인 SCLK에 맞추어 데이터를 한 비트씩 교환한다그런데 클럭에 동기를 맞추는 방법은 한 가지만 있는 것이 아니다클럭이 출력되고 있지 않은 상황에서 클럭의 기본 값은 ‘0’일 수도 있고 ‘1’일 수도 있다그리고 매스터와 슬레이브가 매 클럭의 첫 번째 에지에서 데이터를 읽을 수도 있고 매 클럭의 두 번째 에지에서 데이터를 읽을 수도 있다앞의 특성을 클럭의 극성 (polarity)이라고 하고 뒤의 특성을 클럭의 위상 (phase)이라고 한다클럭의 극성과 위상의 조합에 따라 모두 4 가지 방법이 사용 가능하다. SPI 슬레이브는 4가지 가능한 방법 중 한 가지를 사용하도록 만들어지고 매스터는 4 가지 방법을 모두 지원해야 한다.

 

AVR 마이크로컨트롤러의 SPI 제어 레지스터에는 CPOL CPHA라는 비트가 있는데 이 비트의 설정에 따라 출력되는 클럭의 극성과 위상이 달라진다다른 마이크로컨트롤러도 이와 같거나 비슷한 이름의 비트를 가지고 있다. CPOL 비트가 0이면 클럭의 기본 상태가 ‘0’이며 이 비트가 1이면 클럭의 기본 상태는 ‘1’이다그리고 CPHA 비트가 0이면 매 클럭의 첫 번째 에지에서 데이터가 샘플되며 이 값이 1이면 두 번째 에지에서 데이터가 샘플된다.

 

다음 그림은 CPHA 비트가 0일 때의 타이밍을 설명하고 있다.

  

 

CPHA 값이 0이므로 클럭의 극성에 상관없이 매스터와 슬레이브는 모두 매 클럭의 첫 번째 에지에서 데이터를 샘플한다따라서 매 클럭의 두 번째 에지에서 비트 전환이 일어난다.

 

다음은 CPHA 비트가 1일 때의 타이밍을 설명한다.

  

 

클럭의 극성에 상관없이 매 클럭의 두 번째 에지가 데이터 샘플에 사용되며 따라서 매 클럭의 첫 번째 에지에서 비트 전환이 일어난다.


위의 4 가지 극성과 위상 조합에 0에서 3까지의 숫자를 부여하여 이를 SPI 모드라고 부른다.


SPI mode

CPOL

CPHA

0

0

0

1

0

1

2

1

0

3

1

1

 

두 개 이상의 SPI 슬레이브 연결

I2버스처럼 SPI 버스에서도 한 개의 매스터가 두 개 이상의 슬레이브와 연결될 수 있다. I2슬레이브가 고유한 주소를 가지고 있는 것처럼 각각의 SPI 슬레이브는 chip enable (/CE) 신호를 가지고 있다. SPI 매스터는 각 슬레이브의 /CE 신호를 제어하여 원하는 슬레이브를 선택한다.다음 그림은 한 개의 SPI 매스터에 두 개의 슬레이브들을 연결하는 방법을 설명한다.

 

 

세 장치의 SCLK, MOSI, MISO는 각각 서로 연결되어 있지만 슬레이브의 /CE 신호들은 서로 묶이지 않고 매스터의 다른 핀들로 연결된다슬레이브의 수에 상관없이 한 순간에는 하나의 슬레이브만 매스터와 통신할 수 있다두 슬레이브가 모두 활성화되면 슬레이브의 출력인 MISO에서 데이터의 충돌이 일어난다그래서 매스터는 자신이 원하는 슬레이브의 /CE 신호만 ‘0’으로 설정하여 활성화시키고 나머지 슬레이브의/CE는 ‘1’로 두어야 한다. /CE 입력이 ‘1’인 슬레이브는 선택되지 않았기 때문에 자신의 MISO 출력을 hi-Z 상태로 만들어 선택된 슬레이브와 매스터 간의 통신에 영향을 주지 않는다따라서 모든 SPI 슬레이브의 MISO 출력은 3 상태를 지원한다. /CE 입력이 ‘1’인 슬레이브는 당연히 매스터가 출력한 SCLK와 MOSI 신호를 무시한다.

 

세 개 이상의 슬레이브도 같은 방법으로 매스터와 연결할 수 있다슬레이브의 수가 하나씩 늘어날 때마다 새로운 슬레이브를 위한 /CE 신호만 하나 더 필요할 뿐이다그런데 이 때 매스터에 연결된 슬레이브들이 사용하는 SPI 모드가 한 가지가 아니거나 비트 전송 순서가 다를 수 있는데 이런 경우에는 통신의 효율이 많이 낮아진다가령 어떤 슬레이브는 모드 0을 사용하고 또 다른 슬레이브는 모드 1을 사용한다면 매스터가 슬레이브를 바꿀 때마다 동작 모드를 매번 다시 설정해야 한다또한 동작 모드가 같아도 비트 전송 순서가 다르다면 마찬가지 문제가 생긴다.

 

매스터가 하나의 슬레이브만 구동한다면 슬레이브의 /CE 신호를 GND로 고정시켜 두어도 상관없다어차피 SCLK, MOSI, MISO를 공유할 다른 슬레이브가 없기 때문에 이 선들은 하나뿐인 슬레이브 전용으로 사용된다그렇기 때문에 슬레이브를 항상 활성화시켜 둬도 기능상의 문제는 생기지는 않는다.

 

SPI 통신의 예

AT45DB161D은 SPI 인터페이스를 사용하는 16 Mbit 직렬 플래쉬 메모리이다이 플래쉬 메모리에 정보를 기록하거나 저장된 정보를 읽기 위한 여러 방법 중 다음 그림은 main memory page read 명령을 설명하고 있다이 그림에서 데이터는 바이트 단위로 표시되어 있다.

 

 

main memory page read 명령은 AT45DB161D 내부의 특정 페이지의 내용을 연속으로 읽기 위한 것이다이 플래쉬 메모리의 용량은 2 Mbytes이므로 주소를 지정하기 위해서 21 비트가 필요하다매스터는 가장 먼저 AT45DB161D /CE 신호를 ‘0’으로 만든 다음 main memory page read를 위한 비트 명령을 출력하고 이어서 읽기를 원하는 주소 바이트를 출력한다. (AT45DB161D MSB 우선의 비트 전송 순서를 사용한다.) main memory page read 명령과 바이트 주소를 받으면 AT45DB161D는 저장된 데이터를 읽어서 출력할 준비를 하는데 이 과정에 시간이 필요하다이를 위해 매스터는 4 바이트를 더 출력한다매스터가 추가로 전송하는 4 바이트를 전송하는 것은 SLCK를 출력하기 위한 동작이므로 출력하는 데이터는 어떤 값이든 상관없다.

 

이렇게 8 바이트를 MOSI로 출력하는 동안 계속해서 매스터의 MISO AT45DB161D의 출력이 들어오지만 이 값은 아무런 의미가 없는 쓰레기 값이다. AT45DB161D의 데이터 전송은 9 번째 바이트부터 시작된다. AT45DB161D 9 번째 바이트에서 매스터가 지정한 주소의 내용을MISO로 출력한 후 내부 카운터를 사용하여 주소를 1 증가시킨다이 후 매스터가 MOSI로 한 바이트씩 출력할 때마다 AT45DB161D는 데이터를 출력하고 주소를 1 증가시키는 과정을 계속 되풀이한다이런 과정을 통해 매스터는 AT45DB161D의 데이터를 필요한 만큼 연속해서 읽고 마지막으로 AT45DB161D /CE 신호를 ‘1’로 만들어 통신을 끝낸다. 9 번째 바이트부터 매스터가 SCLK를 출력할 뿐 MOSI로 출력해야 하는 데이터는 없으므로 어떤 값을 보내도 상관 없다.

 

이 명령 외에도 AT45DB161D을 사용에 필요한 다른 많은 명령들이 더 있다각 명령마다 위 그림과 비슷한 타이밍도를 가지고 있으므로 각 명령의 쓰임새와 사용법을 알려면 AT45DB161D의 데이터쉬트를 참고해야 한다.

 

SPI의 장·단점

SPI 버스의 가장 큰 장점으로는 최고 70 MHz에 이르는 빠른 통신 속도와 동시 양방향 통신이 가능하다는 점을 들 수 있다전송 데이터 단위에 대한 제약이 없어서 8 비트, 16 비트, 24 비트 등 원하는 길이를 한 워드로 설정할 수 있다비트 순서에 대한 제약도 없으므로 필요에 따라MSB부터 전송할 수도 있고 LSB부터 전송할 수도 있다. I2슬레이브와 달리 SPI 슬레이브는 자체 주소를 가지고 있지 않으므로 주소 충돌의 문제도 발생하지 않는다.

 

I2버스와 달리 SPI 버스에는 한 개의 버스 매스터만 있을 수 있으며 I2버스에 비해 필요한 핀의 수가 더 많다. SPI 버스는 기본적으로 4 가닥의 선을 사용하며 매스터에 연결된 슬레이브의 숫자가 많아질수록 슬레이브를 선택하기 위한 SS 핀의 수 역시 슬레이브 수에 비례해서 늘어난다또한 I2버스의 ACK와 같은 메커니즘이 없어서 매스터는 자신이 통신하고 있는 장치가 실제 존재하는지 여부를 확인할 수 없다.

출 처 :  
http://eslectures.blog.me/80137862792


 - 요약 -
어떤 전압의 직류전원에서 다른 전압의 직류전원으로 변환하는 전자회로 장치를 말하며, 넓은 뜻으로는 직류전동기와 직류발전기를 기계적으로 결합한 것도 포함된다. 텔레비전 수상기에서 주로 사용된다.

 - 본문 -

교류의 전압변환은 변압기로 할 수 있으나 직류에서는 그대로는 변압기를 사용할 수 없으므로, 직류전원에서 발진회로()에 의해 전력용량이 큰 교류를 발생시켜 변압기를 통해서 다른 전압의 교류로 변환하고, 다시 정류해서 직류를 얻는 것이 많다.

텔레비전 수상기에서는 브라운관용 고압 직류전원 등에 사용한다. 넓은 뜻으로는 직류전동기와 직류발전기를 기계적으로 결합한 것도 포함된다.


출처 : 네이버 백과사전
Jtag을 구성하기 위해서 제일 먼저 하는것이 바로 병렬포트와 연결되는 Jtag인터페이스(동글) 이다. 이는 Jtag신호를 TTL레벨의 신호로 알맞게 CPU에 전달하기 위해서 인데, 그동안의 편의성으로 인하여 병렬포트에 연결되는것이 많았다. 요즈음은 USB나 시리얼 형도 많이 나와 있으나 현재까지는 대세가 병렬포트이므로 병렬포트의 구조를 알아보려고 한다.

실제 병렬포트는 취미로 하는 자작에서 PC쪽의 프로그램과 자작 하드웨어간의 통신을 위해서도 많이 쓰이는데, 그만큼 간단하게 외부기기와 인터페이스 될수 있다는 뜻이겠다.




위는 병렬포트의 물리적인 형상이다. 1번부터 25번까지 25개의 핀이 존재하며, 이중 18번에서 25번까지는 그라운드이다. 2번에서 부터 9번까지 8개의 핀은 PC에서 외부로 신호를 내보내는, 즉 Output으로 사용되며, 10번에서 15번까지 6개의 핀은 외부에서 PC로 신호를 보내는, 즉 Input으로 사용된다. 기타 나머지 핀들은 각각의 정해진 기능및 Input/Output을 모두 수행하는 Bidirectional Input/Output으로 동작한다.

자세한 핀별 구성은 아래와 같다.

1번핀: (Strobe)
2번핀: (Data0)
3번핀: (Data1)
4번핀: (Data2)
5번핀: (Data3)
6번핀: (Data4)
7번핀: (Data5)
8번핀: (Data6)
9번핀: (Data7)
10번핀: (Acknoledge)
11번핀: (Busy)
12번핀: (PaperEnd)
13번핀: (Select)
14번핀: (AutoFeed)
15번핀: (Error)
16번핀: (Init)
17번핀: (SelectInput)
18번핀: (Ground)
19번핀: (Ground)
20번핀: (Ground)
21번핀: (Ground)
22번핀: (Ground)
23번핀: (Ground)
24번핀: (Ground)
25번핀: (Ground)

위의 핀 구성은 프린터에 규격화 되어 있으며, 프린터 포트도 모드(EPP,SPP등)에 따라 각각의 명칭이 달라지거나 접근하는 어드레스가 다르다. 일단 이정도만으로도 Jtag의 구성이 가능하므로 자세한것은 PC 병렬포트의 정확한 스펙문서를 찾아야 할것이다.

1. 원리

 

N형반도체 두조각 사이에 P형반도체 조각을 넣고,

그 P형반도체로 두 N형반도체 사이로 흐르는 전류를 조절 해보고 싶은

생각을 가진 과학자가 그렇게 해봤다고 생각한다.


         [ N형 ]                     [ P형 ]                        [ N형 ]

 

 

 

아래와 같이 접합면에 절연층이 생기고,

두개의 다이오드를 연결한 모습이 될것이다.

 


 

 

 

B에 (+) 전압을 걸고 A에 (-)를 걸면 B에서 A로 전류가 흐른다.

B에 (+) 전압을 걸고 C에 (-)를 걸면 B에서 C로 전류가 흐른다.

전류는 화살표 방향으로는 흐를 수 있기 때문이다.


 

 

 

 

B에 (-) 전압을 걸고 A에 (+)를 걸면 B에서 A로 전류가 흐르지 못한다.

B에 (-) 전압을 걸고 C에 (+)를 걸면 B에서 C로 전류가 흐르지 못한다.

당연하다. 전류는 화살표 방향으로만 흐를 수 있기 때문이다.

 

그림처럼 전자와 전공이 전극 쪽에 몰리고 절연체 층은 늘어난다.

때문에 어느쪽으로도 전류는 흐르지 않는다.


 

 

 

 

A에서 C로 전류가 흐르려 하면 A->B에서 흐름이 막힌다.

위의 경우와 동일하다.


 

 

 

C에서 A로 전류가 흐르려 하면 C->B에서 흐름이 막힌다. 

역시 위의 경우와 동일하다.


 

 

 

회로 기호와 유사하게 하기 위하여 접합체를 시계방향으로 90도 돌려 세워보자.

또한 절연층 표기는 무시 하기로 하고, 아래와 같이 전압을 걸면 전자와 전공의

위치가 그림과 같이 배치된다. 이때 P형반도체는 N형에 비해 아주 얇게한다.

                         


 

 

 

이상태에서 P형 반도체와 아래에 있는 N형반도체에 낮은 전압(약0.8V 정도)을

걸어보면 아래쪽 N형 반도체에 있는 전자들이 P형 반도체로 오다가 그 대부분이

상대적으로 더 높은 전압이 걸려 있는 위쪽 N형반도체 쪽으로 이동하고 만다.


 

 

 

이렇게 P형 반도체에서 아래쪽 N형 반도체로 흐르는 작은 전류에 비례하면서도

높은 전압으로 인한 훨씬 많은 전류가 위쪽 N형 반도체에서 아래쪽 N형 반도체로

흐르게 된다. P형 반도체의 전류가 막혀있던 문을 열어준것이다.

 

이런 구조를 NPN 트랜지스터라고 하며 배치를 바꾸면 PNP 트랜지스터가 된다.

이해하는 방법은 위와 같으며 흐름만 반대로 보면 된다.

 

이는 0.8V의 전압으로 흘려주는 작은 전류값이 10V에 의해 흐르는 큰 전류값을

제어 할 수 있게 된다. 이것을 트랜지스터 라고 한다. 이는 반도체의 저항값이

변화 한다는 의미에서 주어진것이다. (Trans:변화 + Resistor:저항 = Transistor)

 

위쪽 N형 반도체를 콜렉터(Collector),

가운데 P형 반도체를 베이스(Base),

아래쪽 N형 반도체를 에미터(Emitter) 라고한다.

 

다르게 표현하면, 진공관처럼 전류제어 작용을 한다.

진공관은 그리드에 걸어주는 전압으로 전류를 제어하고,

트랜지스트는 베이스 전류값으로 콜렉터 전류를 제어 할 수 있다.

 

 

 

2. 기호 (Symbol)

 

처음 그린 기호는 이랬을 것이다.

 


 

Emitter는 전자를 보내는 곳이란 뜻을 가지고 있고,

Base는 기초나 출발점의 의미를 가지므로 전자를 제어한다고 생각하며,

Collector는 수집의 의가 있으므로 전자들이 모이는 곳이라고 본다.(주관)

 

Vbe는 베이그와 에미터에 걸어주는 전압으로 전자의 흐름을 제어하는 전압이고,

Vce는 콜렉터와 에미터사이에 걸어주는 전압으로 실제로 일(W)을 하는 전압이다.

 

그리고 나중에 아래와 같이 바뀌었을것 것이고,


지금은 케이스 넣고 아래와 같이 쓰고 있다. PNP 트랜지스터는 에미터의

화살표 방향만 바꾸어 그리면 된다. 모든 동작은 NPN과 반대이다.

 

이 화살표 방향은 다이오드의 방향이다. 그리고 콜렉터 측의 화살표는

표시하지 않는다. 즉 화살표가 있는 곳이 에미터이다.

 


아래의 3진공관과 같이 신호를 증폭하기도 하고, 증폭된 신호일부를

다시 베이스에 넣어 (궤환:Feed Back) 발진하기도 한다.

 


출 처 : http://blog.naver.com/tksvo/150044362840

  반도체
도체와 절연체 중간의 전기적 성질을 갖는 고체

  P형 반도체
인듐(In) 또는 갈륨(Ga) 등 양전하 캐리어수를 많게하는 불순물을 도핑한 반도체로 소수의 전자, 다수의 정공(양전하)이 존재한다.

  N형 반도체
비소(As) 또는 안티몬(Sb) 등 음전하 캐리어수를 많게하는 불순물을 도핑한 반도체로 다수의 전자, 소수의 정공(양전하)이 존재한다.

  PN접합 다이오드
P형 반도체와 N형 반도체를 서로 접합시킨 것..

//////////////////////////////////// 위키백과 인용 ////////////////////////////////////

p-n접합이 처음 생성되면, N영역의 자유영역 전자들이 정공이 많은 P영역으로 확산된다. 자유 전자들이 정공과 결합한 후에는 정공은 사라지며 전자들은 더 이상 자유롭지 못하게 된다. 따라서 두 속성의 전하 캐리어들(정공과 전자)이 모두 사라지고, p-n 접합 주변 지역은 마치 부도체인 것처럼 동작한다. 이를 재결합이라고 한다. 하지만 소모층의 크기에는 한계가 있고 얼마 후에는 재결합이 끝난다. 이때 외부 전압을 다이오드 소모층에 생긴 built-in potential과 같은 극방향으로 걸어주면, 소모층은 계속해서 부도체처럼 동작하고 전류의 흐름을 막는다. 이와 반대로 built-in potential과 반대 극 방향으로 외부 전압을 걸어주면, 재결합을 다시 시작한다. 결국 p-n접합을 지나 상당한 양의 전류가 흐른다.

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/////////////////// 출처 : http://blog.naver.com/tksvo/150042527877 ///////////////////

P형과 N형 반도체를 서로 접합시키면 빈자리인 정공으로 전자가 들어가

최외곽 전자가 8개로 되어 전자가 이동할 수 없는 부도체 영역이 생긴다.


그렇다고 전부가 부도체로 되는 것은 아니다. 한번 부도체 층이 생기면

전자나 정공이 그 절연층을 통과 하지 못하므로 결합이 중단된다.

부도체 층을 이해하기 좋게 두껍게 그렸지만, 실제로는 미크론( μ :1/1000mm)

단위의 얇은 막 상태이므로 약간의 전압만으로도 무너진다. 실리콘으 로 만든

반도체는 약 0.6V (볼트), 게르마늄으로 만든 반도체는 0.2V(볼트)만 으로도

전자와 정공이 막(절연층)을 통과할 수 있다.


좀더 정확히 말하면, 전자와 정공이 결합한다는 것은, P형반도체 쪽은 균형상태에서

(+)인 정공이 사라졌기 때문에 점점 (-)전위를 가지게 되고, N형 반도체쪽은 (-)를

잃었기 때문에 점점(+)전위를 띠게 된다.


때문에 (+)인 정공이 (+)전위를 띠게된 N형 반도체쪽으로 가기 힘들고, (-)인 전자가

(-)전위를 띤 P형 반도체 쪽으로 가기 힘들어진다. 이 장벽을 전위장벽이라고 한다.

앞의 표현은 우선 쉽게 표현하기 위해서 절연층이라고 했다. 이 전위장벽을 넘어서

전류가 흐를려면은 0.2V ~ 0.6V의 전압이 필요하다.

 

이들 양쪽에 전극(전선을 잇기 위한 금속(도체)단자)을 달고 전압을 걸어보면

다음과 같은 현상이 생긴다.



먼저 아래와 같이 이어보면, 음양이 서로 당기는 이치에 의해 전자는 (+)극으로

정공은 (-) 극으로 끌려간다. 그 결과로 가운데의 부도체 영역만 늘어난다.

 

참고로 전자와 정공의 (-)전하와 (+)전하는 측정하기 어려울만큼 낮으므로 서로

당기지 못하고, 상대적으로 무척 높은 전지의 (+)와 (-) 쪽으로 끌려간다. 전 압이

높아질수록 절연층이 더 두터워지기 때문에 전류는 더욱 흐르지 않는다.

 

하지만 어떤 전압 이상이 되면 전체 절연층을 파손시키고 전극과 전극으로 전류가

흐르게 된다. 이 전압을 Break Down Voltage 라고 하며, 다이오드의 최대 역전압

정격이 된다.

 


 

이제 반대로 이어보면, 당기는 극성이 반대편에 있다. 물론 가까운곳에 정공은 전자가,

전자는 정공이 있지만 비교되지 않을 만큼 높은 (+)와 (-)가 있는쪽으로 끌려가게 된다.

 

저항기를 이어둔 이유는, 큰전류가 흐르는 것(합선:SHORT)을 막기위함이다. 건전지

전압이 1.5V 이고 저항값이 10 Ohm 이라면, 초기에 절연층을 넘어가기 위하여 0.6V 를

소비하고 나머지 0.9V의 힘으로 10 Ohm의 저항기를 지나게 된다.

 

전류(I) = 전압(V) / 저항(R) [A} 이므로  전류(I) = 0.9 / 10 = 0.09[A] 가 흐르게된다.

이때 저항기에서 열로 소비되는 전 력(W) 은 0.9[V] * 0.09[A] = 0.081[W]이다.

1초당 발열량은 0.24 x W [Kcal]이므로, 0.019 [Kcal] 즉, 19 [Cal] 이다.

 

같은 논리로, PN 접합 DIODE 에서 소비되는 전력은 0.6[V] * 0.09[A] = 0.054[W]이고

1초당 발열량은 0.24 x W [Kcal]이므로, 0.013 [Kcal] 즉, 13 [Cal] 이다.  결국 건전지가

소비하는 총전력은 둘을 더한 0.135 [W] 이고, 발생시킨 열량은 32 [Cal] 이다.

 


 

2극 진공관처럼 한쪽 방향으로만 전류가 흐르는 정 류기(DIODE)이다.

진공관과의 차이점은, 진공관은 높은 전압만 정류할 수 있고, PN접합 반도체

다이오드는 1V 미만의 낮은 전압부터 진공관 만큼 높은 전압도 정류할 수 있는것이다.

 

기호는 아래와 같다. 화살표 방향으로만 흐른다는 의미이다. 히터, 모타 등을 제외한

많은 전기제품은 직류를 사용한다. 당시 이 다이오드 덕분에 3극, 4극, 5극 진공과 같은

역할을 하는 전류제어용 반도체 소자만 만들면 낮은 전압으로 동작하는 제품을  만들 수

있다고 생각하고 힘내어 연구하기 시작 했을 것이다.

 


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